iPhone6 Plusは1日数度クラッシュする問題 その3
未だに原因不明のiPhone6 Plusが毎日クラッシュする問題ですが、新たな見解がでてきました。
・iPhone6 Plusは1日数度クラッシュする問題 その1
・iPhone6 Plusは1日数度クラッシュする問題 その2
現在のところOSの問題、RAM容量の問題、原因不明と色々議論されていますが、iPhone6 Plusの128GBに問題が集中していることからフラッシュメモリのコントローラICの問題ではないか?という見解がでてきました。
今回アップルはコスト削減のため、iPhone6 Plusの幾つかのモデルでTLCのNANDフラッシュメモリを使用しているようです。
TLCは1つのメモリに3bitのデータを格納することができるので、コストと面積の上で有利になります。
反面ばらつきや干渉を考慮して、Read/Write動作が遅くなります。
既にTLC NANDを販売しているサムスンのフラッシュメモリで、Read性能が低下している問題が報告されています。
これはフラッシュを制御しているコントローラICの問題であり、現在サムスンはファームウェアのアップデートに取り組んでいます。
今回のアップルの問題もこのコントローラICではないかという見方が出ています。
実際にコントローラICの問題ならばファームウェアのアップデートで解決する可能性も高いのですが、問題がさらに拡大する可能性もあります。
ただ他の容量でも問題が発生していることを考えると単純にファームウェアの問題だけとは思えません。
なかなかアップルが公式のコメントを出さないのも気になります。
[ソース:businesskorea]