iPhone6 Plusは1日数度クラッシュする問題 その5
アップルの特にiPhone6 Plusの128GBで頻繁にクラッシュする問題ですが、ついにアップルが対応に動きだしたようです。
この問題の原因は、ストレージに使用されているTLCのNANDフラッシュメモリのコントローラICの問題では?と推測されています。
このフラッシュメモリは、iPhone6 Plusの128GBと少量の64GBに使用されているようです。
なおiPhone6 PlusのフラッシュメモリはSKハイニックス製でコントローラICは2011年にアップルが買収したAnobit製のようです。
今回アップルはTLC NANDメモリの使用を中止することを決定したようです。
これによりアップルは今後MLC NANDメモリを使用することになります。
またiOS8.1.1でTLC NANDメモリを搭載した製品の改善を図る予定のようです。
なおこの問題は韓国でも発生しており、iPhoneの交換を要求しているようです。
コントローラーICの問題をOSレベルで回避できるのか疑問ですが、OSアップデートするときにコントローラーICのファームウェアも変更するのでしょうか?
この場合かなりのリスクを伴いますが、既にクラッシュし続けていることを考えると内部データが初期化されても問題ないと考えているのかもしれません。
OSのアップデートで修正されるといいのですが・・・。
現状配布されているiOS8.1.1のベータ1では、解決されていないようです。
フラッシュメモリを変更するということは、一時的にiPhone6 Plusの128GBとTLC NANDフラッシュメモリを使用している一部のiPhone6とiPhone6 Plusの供給が滞るかもしれません。
ただこの件については、各メディアで相反する報道が行われているので最終的にどうなるかは不明です。
[ソース:businesskorea]